Аннотация: Проведено исследование деградации метало -оксидных полупроводниковых МОП структур с нитрированием подзатворного оксида при воздействии горячих электронов и ионизирующего излучения. Были исследованы два фактора, вызывающие деградацию МОП структур и на которые, имеет разное влияние нитрирование. Получены результаты воздействия ионизирующего облучения на МОП структуры с термическим нитрированием при различной температуре и длительности нитрирования и без нитрирования. Показано что температура и длительность операции нитрирования уменьшают величину изменения напряжения. Наблюдающиеся изменения напряжения могут быть следствием увеличения воздействия ловушек электронов, или уменьшения воздействия ловушек дырок. Деградация характеристик приборов под воздействием радиоактивного облучения и горячих электронов существенно зависят от температуры и длительности термического нитрирования. Опасность радиоактивного облучения постоянно уменьшается при увеличении степени нитрирования, а опасность деградации под действием горячих электронов при увеличении степени нитрирования уменьшается, но с дальнейшим увеличением степени нитрирования также увеличивается.

Ключевые слова: полупроводниковый прибор, технология СБИС, МОП, нитрирование, диоксид кремния, термообработка, деградация, горячие электроны, радиационная стойкость, оксид кремния

Библиография:
Karna Sh.P., Pincda A.C., Pugh R.D., Shedd W.M., Oldham T.R. Electronic structure theory and mechanisms of the oxide trapped hole annealing process. // IEEE Trans.on Nucl.Sci. 2000. Vol.NS-47. No 6. P.2316-2321.
Miyazaki S., Tamura Т., Ogasawara M., Itokawa H., H. Murakami, M. Hirose. Influence of nitrogen incorporation in ultrathin SiO2 on the structure and electronic states of the SiO2/Si(100) interface. Appl. Surface Science, 2000, v. 75, p. 159-160.
Naumova O. V., Fomin B. I., Sakharova N. V., Ilnitsky M. A., Popov V.P. Impact of implantation on the properties of N2O-nitrided oxides of p+- and n+-gate MOS devices. -Nucl. Instrum. and Methods B, 2009, v. 267, N 8-9, p. 1564-1567.
Imamura K., Maida O., Hattori K., Takahashi M., Kobayashi H. Low temperature formation ofSiO2/Si structure by nitric acid vapor. J. Appl. Phys, 2006, v. 100, p. 114910 (4).

Аннотация: В связи с малым потреблением мощности КМОП структуры являются предпочтительными для создания больших и сверхбольших интегральных схем. Однако надежность схем в значительной степени ограничивается возникающим в КМОП структурах явлением защелки. Электрическая характеристика явления защелки в КМОП интегральных схема характерна наличием ряда аномальных явлений. Эти эффекты искажают и делают неоднозначными результаты измерения электрической чувствительности схем к защелке.
Развитие микроэлектроники неуклонно стремится к уменьшению размеров элементов интегральных схем, в частности транзисторов. Уменьшение размеров интегральных схем, приводит к усилению короткоканальных эффектов в МОП- транзисторах. При уменьшении размеров интегральных элементов рассматриваются различные варианты масштабирования приборов со структурой металл-оксид-полупроводник. В качестве методов предотвращения защелкивания предлагаются использование диодов с барьером Шоттки или специальных поликремниевых диодов вместо омических контактов подложки и кармана; применение сильнолегированной подложки с изоляцией глубокими канавками. Механизмы, вызывающие появления защелкивания, не зависит от типа проводимости полупроводниковой области кармана.

Ключевые слова: транзистор, защелкивание, МОП, масштабирование, СБИС, короткоканальные эффекты, полупроводник, наноэлектроника, отказ, моделирование

Библиография:
Voldman S., Gebreselasie E., Zjerak M. et al. Latchup in merged triple well structure // IEEE International Reliability Physics Symposium, 2005. pp. 129–136.
Tsai H., Ker M. Compensation circuit with additional junction sensor to enhance latchup immunity for CMOS integrated circuits // 2015 European Conference on Circuit Theory and Design (ECCTD), Trondheim, 2015, pp. 1-4.
Мустафаев Г.А., Мустафаев А.Г., Черкесова Н.В. Надежность интегральных микросхем с алюминиевой металлизацией//Электроника и электротехника. 2017. № 3. С.1-6.
Kontos D., Domanski K., Gauthier R. et al. Investigation of external latchup robustness of dual and triple well designs in 65nm bulk cmos technology // Proc. of the International Reliability Physics Symposium, 2006. pp. 145–150.
Karp J., M. Hart J., Maillard P., Hellings G., Linten D. Single-Event Latch-Up: Increased Sensitivity From Planar to FinFET // IEEE Transactions on Nuclear Science, vol. 65, no. 1, pp. 217-222, Jan. 2018.
Мустафаев Г.А., Мустафаев А.Г., Мустафаев

Аннотация: Наибольшие успехи ионной имплантации были достигнуты в области планарной технологии полупроводниковых приборов и интегральных схем. Большое развитие получили технологии создания приборов с элементами наночастиц, в том числе, активной областью которых являются металлические наночастицы в диэлектрической матрице.
Целью работы является моделирование процесса ионной имплантации структуры, состоящей из наночастиц золота в матрице диоксида кремния и расчеты распределения легирующих ионов, каскадов смещенных ионов матрицы и наночастицы, а также распределения ионов, отраженных от наночастицы. Условия имплантации изменяются в зависимости от положения проекции точки на поверхности структуры на горизонтальный радиус наночастицы от центра до периферии. Составлена физическая модель процесса ионной имплантации наночастицы золота, находящейся в матрице диоксида кремния. Проведено моделирование процесса ионного легирования структуры ионами бора и мышьяка для различных сечений и получены графики распределения легирующих ионов, атомов отдачи, отраженных и распыленных ионов в зависимости от координаты от центра наночастицы.

Ключевые слова: ионная имплантация, интегральная схема, технология полупроводников, моделирование, диоксид кремния, наночастица, монокристаллический кремний, профиль распределения, энергия ионов, отраженные ионы

Библиография:
Мустафаев Г.А., Панченко В.А., Хасанов А.И., Мустафаев А.Г., Калинина Н.В. Моделирование параметров границы раздела графен-гексагональный нитрид бора // Вестник Академии наук Чеченской Республики. 2017. № 1 (34). С. 22-27.
Morris S.J., Obradovic B., Yang S., Tasch A.F. Modeling of boron, phosphorus, and arsenic implants into single-crystal silicon over a wide energy range (few keV to several MeV) // International Electron Devices Meeting. Technical Digest, San Francisco, CA, USA, 1996, pp. 721-724.
Панченко В.А., Мустафаев Г.А., Черкесова Н.В., Мустафаев А.Г. Компьютерное моделирование многобарьерных проводниковых структур // В сборнике: Современные проблемы физики и технологий VI Международная молодежная научная школа-конференция, посвященная 75-летию НИЯУ МИФИ и 95-летию академика Н.Г. Басова. 2017. С. 149-150.
Chang R., Lin P. Simulation Study of Implantation Angle Variation and Its Impact on Device Performance // 2016 21st International Conference on Ion Implantation Technology (IIT), 2016, pp. 1

Аннотация: Полупроводниковые гетероструктуры лежат в основе конструкций современных транзисторов, приборов квантовой электроники, СВЧ-техники, электронной техники для систем связи, телекоммуникаций, вычислительных систем и светотехники. В работе описаны процессы формирования радиационно-стойких гетероструктур с требуемым набором структурных и электрофизических параметров с учетом влияния воздействий ионизирующих излучений, позволяющих расширить область их применения и повысить надежность радиоэлектронной аппаратуры. Проведено исследование влияния облучения на параметры гетеро- и полупроводниковых структур, изготовленных по различным конструктивно-технологическим вариантам. Исследования проводились в том числе с использованием метода напряжения плоских зон и определения времени релаксации. Показано, что с увеличением дозы ионизирующих частиц плотность заряда в диэлектрике растет, достигает насыщения при дозе 108- 109 рад, а величина встроенного заряда и механические напряжения в многослойных диэлектрических системах снижаются за счет образования промежуточного заряда на границе раздела диэлектриков и наличием потенциального барьера между ними.

Ключевые слова: кремний на изоляторе, гетероструктура, ионизирующее излучение, оксид кремния, нитрид кремния, тонкие пленки, полупроводник, радиационная стойкость, заряд, граница раздела

Библиография:
Першенков В.С., Попов В.Д., Шальнов А.В. Поверхностные радиационные эффекты в ИМС. М. – 1988. 255 с.
Мустафаев А.Г. Технология формирования кремниевых пластин со скрытым слоем // Нано и микросистемная техника. №10. 2007. С. 11- 14.
Мустафаев А.Г., Мустафаев А.Г. Влияние накопленной дозы излучения на КМОП-транзисторы изготовленные по КНС технологии // Нано и микросистемная техника. №9. 2008. С. 44-46.
Мустафаев А.Г., Мустафаев Г.А. Радиационная стойкость КНИ МОП транзисторов к накопленной дозе ионизирующего излучения // Нано и микросистемная техника. №12. 2007. С. 47- 49.
Мустафаев А.Г., Кумахов А.М., Мустафаев А.Г. Основные процессы, происходящие при воздействии ионизирующего излучения на полупроводниковые структуры, и способы повышения их радиационной стойкости // Вестник ДНЦ РАН. 2003. №13. С. 22- 28.
Z. He, S. Liu, J. Hu, H. Xu et al. Influence of the low-temperature AlN interlayers on the electrical properties of AlGaN/GaN heterostructure on Si substrate // IEEE Advanced Information Managem

Аннотация: Принимая во внимание тот факт, что проблемам защиты потребителей 17 апреля 2017 года было посвящено заседание президиума Государственного совета (по вопросу «О национальной системе защиты прав потребителей»), и статья соавторов, опубликованная в № 1 за 2016 год, активно цитируется и дискутируется в научном сообществе, редакционный совет принял решение опубликовать первоначальную работу автора, т.к. именно в ней было найдено решение, которое может составить техническую основу национальной системы.

В статье расширена библиография, что позволяет убедиться в успешной адаптации метода экспресс-контроля жидких фасованных продуктов без вскрытия тары.
В статье описан экспресс-метод весовой электрометрии и компаративного анализа с «образами эталонов», для идентификации качества и выявления контрафактной продукции.
Объектом исследования явились эталоны моторного масла Castrol Magnatec и образцы контрафактной продукции, на предмет регистрации их электрических и механических характеристик, а также параметры и конструкции тары, в которую они расфасованы. Результаты исследования показали, что предлагаемый метод и средства его реализации могут осуществить абсолютную защиту потребителя от некачественной и поддельной жидкой фасованной продукции.

Ключевые слова: динамическая вязкость, кинематическая вязкость, плотность, качество продукции, сравнительный анализ, электрометрия материалов, экспресс-метод, диэлектрическая проницаемость, измеритель иммитанса, емкостный датчик

Библиография:
Белозеров В.В., Кудрявцев Ю.А., Плахотников Ю.Г. ИССЛЕДОВАНИЕ ПАРТИИ ФАСОВАННОГО МОТОРНОГО МАСЛА CASTROL MAGNATEC НА ПРЕДМЕТ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КОНТРАФАКТНОЙ ПРОДУКЦИИ /отчет о НИР № 2015/12 от 23.03.2015 (ООО "ПОЛИЭКСПЕРТ")-URL: https://elibrary.ru/download/elibrary_24555474_15117928.pdf
Троицкий В.М., Белозеров В.В. МОДЕЛЬ СИСТЕМЫ ЗАЩИТЫ ОТ ПОДДЕЛКИ ЖИДКИХ ПИЩЕВЫХ ФАСОВАННЫХ ПРОДУКТОВ // Материалы VIII Международной студенческой электронной научной конференции «Студенческий научный форум 2016»-URL: https://www.scienceforum.ru/2016/pdf/26255.pdf
Батшев А.С., Белозеров В.В. МЕТОДОЛОГИЯ АВТОМАТИЗАЦИИ ЭКСПРЕСС-КОНТРОЛЯ ФАСОВАННЫХ МОЛОЧНЫХ ПРОДУКТОВ // Материалы IX Международной студенческой электронной научной конференции «Студенческий научный форум 2017»-URL: https://www.scienceforum.ru/2017/pdf/30467.pdf
Белозеров В.В., Троицкий В.М., Белозеров Вл.В О МОДЕЛИ ИДЕНТИФИКАЦИИ КОНТРАФАКТА ЖИДКИХ ПИЩЕВЫХ ФАСОВАННЫХ ПРОДУКТОВ // Рациональное питание, пищевые добавки и биостимуляторы. – 2016. – № 1. – С. 26-36;-UR

Аннотация: В статье изложен метод унификации диагностики и контроля жидкостей, путем определения динамической и кинематической вязкости, которые являются основными характеристиками легко воспламеняемых и горючих жидкостей (ЛВЖ и ГЖ).
Предложена "поплавковая конструкция" тигля термо-электро-дилатометра на термоакустическом шток-волноводе, который, благодаря разработанным физико-математическим моделям, "превращается" в вискозиметр.
Существенным при этом является тот факт, что и кинематическая вязкость, и динамическая вязкость ЛВЖ и ГЖ определяется как в диапазоне отрицательных температур, так и положительных, вплоть до температуры самовоспламенения. Предлагаемая методология может найти применение в новой редакции ГОСТ 12.1.044 "Пожаровзрывоопасность веществ и материалов". Новизна исследования заключается в том, что для тигля термо-электродилатометра в БЭТА-анализаторе разработана функция вискозиметра, с помощью которой определяется кинематическая и динамическая вязкости ЛВЖ и ГЖ и в диапазоне отрицательных температур, и в диапазоне положительных температур, вплоть до температур их самовоспламенения.

Ключевые слова: термоаналитический метод, кинематическая вязкость, динамическая вязкость, легко воспламеняемая жидкость, горючая жидкость, тигель, термо-электро-дилатометр, термоакустический шток-волновод, БЭТА-анализатор, вискозиметр

Библиография:
Белозеров В.В., Батшев А.С., Любавский А.Ю. Об автоматизации идентификации жидких фасованных продуктов // Электроника и электротехника. — 2016.-№ 1.-С.135-145. DOI: 10.7256/2453-8884.2016.1.20924.
Батшев А.С., Белозеров В.В. Методология автоматизации экспресс-контроля фасованных молочных продуктов //«Студенческий научный форум 2017»: Материалы IХ Международной студенческой электронной научной конференции URL: https://www.scienceforum.ru/2017/pdf/30467.pdf.
Гусев Ю.А. Основы диэлектрической спектроскопии /уч.пособие/-Казань: КГУ, 2008.-112с.
ГОСТ 3900-85 Нефть и нефтепродукты. Методы определения плотности-М.: Стандартинформ, 2010.-36с.
ГОСТ 33-2000 Нефтепродукты. Прозрачные и непрозрачные жидкости. Определение кинематической вязкости и расчет динамической вязкости-М.: Стандартинформ, 2017.-35с.
Голубов А.И. Термоэлектроакустический метод анализа жидких сред и огнезащитных покрытий //«Студенческий научный форум 2017»: Материалы IХ Международной студенческой электронной научной конференции URL: ht

Аннотация: Алюминий и его сплавы являются основными материалами металлизации. С повышением степени интеграции роль межсоединений возрастает: они занимают все большую площадь кристалла, увеличивается плотность упаковки, что приводит к уменьшению толщины и ширины токопроводящих дорожек. Достаточное для для развития эффектов электромиграции значение плотности тока в наноразмерных стуктурах возникает при токах 50- 100 мА.
В работе исследовались факторы влияющие на механизм разрушения металлизации интегральных схем из-за электромиграции. Были проведены исследования линий металлизации на разных стадиях разрушения их электромиграцией с помощью растрового сканирующего и с помощью просвечивающего электронных микроскопов. В целом, основной проблемой, связанной с высокотемпературным нанесением алюминиевой металлизации, является большой размер зерна и шероховатость поверхности, что затрудняет проведение совмещения по такому металлическому слою. Результаты экспериментов дают основание заключить, что геометрические факторы играют доминирующую роль в механизме разрушения металлизации интегральных схем из-за электромиграции.

Ключевые слова: металлизация, интегральная схема, электромиграция, полупроводник, контакт, надежность, алюминий, кремний, осаждение, токовый шум

Библиография:
Смолин В.К. Особенности применения алюминиевой металлизации в интегральных схемах // Микроэлектроника. - 2004. - Т. 33. - №1 - С. 10-16.
Pietranico S., Lefebvre S., Pommier S., Berkani Bouaroudj M., Bontemps S. A study of the effect of degradation of the aluminium metallization layer in the case of power semiconductor devices // Microelectronics Reliability, Volume 51, Issues 9–11, 2011, pp. 1824-1829.
Мустафаев А.Г., Мирзаева П.М. Исследование и разработка алгоритмов моделирования процесса обработки ионами контактной системы металлизации // Научно-методический электронный журнал Концепт. 2015. Т. 13. С. 3866-3870.
Гончаренко Е.В., Меньшикова Т.Г., Гречкина М.В., Бормонтов Е.Н. Исследование морфологии алюминиевой металлизации на контактных площадках кристалла ПЛИС // Вестник Воронежского государственного технического университета. 2017. Т. 13. № 1. С. 90-94.
Красников Г.Я., Зайцев Н.А., Валеев А.С., Неустроев С.А., Мельченко В.И. Коррозионная стойкость и электромиграция пленок алюминия, осажденных

Аннотация: Алюминий и его сплавы является основным материалом металлизации интегральных схем и с переходом к сверхбольшим интегральным схемам ужесточаются требования, предъявляемые к параметрам металлизации, определяющим ее надежность, таким, как контактное сопротивление, качество покрытия ступеньки, число и размеры пустот, обусловленных напряжениями, и устойчивость к электромиграции. Плохое качество металлизации - один из опаснейших дефектов в полупроводниковой технологии интегральных схем. Электромиграция может привести к отказу при пропускании через металлизацию тока высокой плотности. Были проведены эксперименты для проверки материалов, связанных с оценкой интенсивности изменения сопротивления металлизации из-за электромиграции. Результаты экспериментов дают основание заключить, что геометрические факторы играют доминирующую роль в механизме разрушения металлизации интегральных схем из-за электромиграции. С учетом результатов проведенных исследований для успешного применения алюминиевой металлизации в технологии сверхбольших интегральных схем даны определенные рекомендации, в том числе по переходу с технологии напыления на осаждение из паровой фазы.

Ключевые слова: металлизация, микросхема, алюминий, электромиграция, технология, электроника, полупроводник, контакт, кремний, надежность

Библиография:
Мустафаев Г.А., Уянаева М.М., Панченко В.А. Силициды тугоплавких материалов в технологии СБИС // Материалы Международной научно-технической конференции «Микро- и нанотехнологии в электронике», Нальчик, 2009, с.212-216.
Chou Y.-H., Sung Y., Bai C.-Y., Ger M.-D. Effects of molybdate concentration on the characteristics of Ni–Mo–P diffusion barriers grown by nonisothermal electroless deposition // J. Electrochem. Soc. 2008, v.155, №9, p.D551 - D557.
Мустафаев Г.А., Уянаева М.М., Мустафаев А.Г. Взаимодействие слоев в системе Al-NiSi при наличии подслоя вольфрама // Материалы IV Международной научно-технической конференции «Микро- и нанотехнологии в электронике», Нальчик, 2011, с.184-185.
Марголин В.И., Жарбеев В.А., Тупик В.А. Физические основы микроэлектроники. М.: Академия, 2008 – 400 с.
Мустафаев Г.А., Мустафаев А.Г., Мустафаев А.Г., Черкесова Н.В. Способ изготовления контактно-барьерной металлизации // Патент РФ 2550586. Бюл. 13, 2015 г.
Poller T., Lutz J., Böttge B., Knoll H. Analysis of

Аннотация: Предметом исследования явилась адаптация SPICE- подобных программ симуляции электрических цепей и тепловых процессов одновременно на примере термоэлементов Пельтье . Несмотря на кажущуюся простоту такого физического объекта, практика показывает, что управление этим устройством требует реализации сложного алгоритма, т .к. ток термоэлектрического модуля, являясь единственным непосредственно управляемым параметром, задает сложную функцию воздействия на работу всего устройства, что проявляется при совместном решении инженерных задач повышения качества термостабилизации и энергоэффективности. В последнее время разработка электронных устройств всё чаще производится при помощи программ компьютерной симуляции, но, распространения этого программного инструментария на инженерные объекты сложной физической природы, до настоящего времени не произошло. В данной работе предпринята попытка объединения методов электронной симуляции с рассмотрением объектов не электрической природы, т. е. предложена компьютерная модель термоэлектрического преобразователя, основанного на эффекте Пельтье. Тепловая часть симуляционной модели строится на использовании принципа электростатической аналогии с конверсией тепловых величин в электрические. При этом тепловая часть устройства разбивается на элементы подобные электрическим - с построением тепловых цепей.
Представленные SPICE-модели термоэлектрического кулера и термостата позволяют эффективно проводить динамический анализ тепловых и электрических параметров большого спектра устройств, содержащих, как внутренние, так и пограничные источники тепла и холода, в том числе – тепловые насосы, использующие различные физические принципы. Получено хорошее совпадение симуляционных результатов с экспериментальными данными, что позволяет использовать разработанную модель для обратной задачи – анализа электрического генератора, основанного на эффекте Зеебека.

Ключевые слова: термоэлектрический преобразователь, термоэлектрический модуль, компьютерное моделирование, элемент Пельтье, SPICE-симулятор, уравнение теплопроводности, система терморегулирования, тепловой насос, кулер, симуляция тепловых процессов

Библиография:
Луканин В.Н. и др. Теплотехника. – М.: Высш. шк., 2008, – 671 с.
Дьяконов В.П. Simulink 5/6/7. Самоучитель. – М.: ДМК – Пресс, 2008, – 784 с.
Валентин Володин. Моделирование сложных электромагнитных компонентов при помощи Spice-симулятора LTspice/SwCAD III. КОМПОНЕНТЫ И ТЕХНОЛОГИИ, № 4 '2008, с.175-182.
Гридчин В.А., Неизвестный И.Г., Шумский В.Н. Физика микросистем. – Новрсибирск: Изд-во НГТУ, 2006. (Ч.2), с.94-97.
Яворский Б.М., Детлаф А.А. Справочник по физике. М.: «Наука», 1968, с.416-421.
Кеоун. Дж. OrCAD Pspice. Анализ электрических цепей. – М.: ДМК – Пресс; СПб.: Питер, 2008, 640 с.

Аннотация: Структуры кремний на сапфире являются основой для производства радиационно-стойких интегральных схем, что в первую очередь важно для космической промышленности, атомной энергетики и военного применения. В работе проведено исследование механизма гетероэпитаксии кремния на сапфире, для последующего создания транзисторных структур с низкой дефектностью. Методом резерфордовского обратного рассеяния изучены эпитаксиальные слои кремния выращенные на сапфировой подложке. При помощи Оже анализа определен состав и глубина переходного слоя кремний-сапфир. Определено, что связь между кремнием и сапфиром осуществляется через тетраэдрически координированный кислород. В эпитаксиальных слоях наблюдается увеличение дефектности в тех областях спектра, которые соответствуют промежуточной области между слоем кремния и сапфировой подложкой, и дают максимальный вклад в каналирование ионов. Учет неупорядоченного характера строения перехода кремний-сапфир позволяет установить причинную связь между зарядом на границе в структуре кремний на сапфире и током утечки полевого транзистора. Разработан способ создания полупроводникового прибора с улучшенными параметрами как по токам утечки так и по плотности структурных дефектов.

Ключевые слова: кремний на сапфире, подложка, ток утечки, кристаллическая решетка, плотность дефектов, механические напряжения, ионное внедрение, гетероэпитаксия, Оже анализ, обратное рассеяние

Библиография:
Мустафаев А.Г., Кармоков А.М., Мустафаев А.Г., Мустафаев Г.А. Способ изготовления полупроводниковой структуры. Патент РФ №2292607. М., 2007.
Мустафаев Г.А., Черкесова Н.В., Мустафаев А.Г. Моделирование технологического процесса осаждения диэлектриков В сборнике: ИНФОРМАЦИОННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ В НАУКЕ, ОБРАЗОВАНИИ И БИЗНЕСЕ Сборник материалов IV международной научно-практической конференции. ГАОУ ВПО "Дагестанский государственный институт народного хозяйства". 2016. С. 289-291.
Мустафаев Г.А., Черкесова Н.В., Мустафаев А.Г., Панченко В.А. Влияние технологии изготовления p-nперехода на токи утечки В сборнике: Микро- и нанотехнологии в электронике Материалы VII Международной научно-технической конференции. Редакционная коллегия: А. М. Кармоков, О. А. Молоканов. 2015. С. 246-248.
Мустафаев Г.А., Черкесова Н.В., Мустафаев А.Г., Панченко В.А. Полевые транзисторы с двухслойным диэлектриком затвора В сборнике: Микро- и нанотехнологии в электронике Материалы VII Международной научно-технической конференции. Ред

Аннотация: С 2010 года Правительство РФ организовало конкурс по финансированию научно-исследовательских работ под руководством «ведущих зарубежных ученых», целью которых, помимо достижения результатов исследований мирового уровня, являлось создание «лабораторий мирового уровня» при ВУЗах.
Уже в 2010 году реализация «Постановления 220» практически захлебнулась, т.к. на конкурс пришло 512 проектов, а «денег хватило» только на 40 победителей. При этом в Москве оказалось 15 «победителей», в Санкт-Петербурге – 6, в Н.Новгороде-4, в Новосибирске и Томске – по 3.
В 2011 году «история повторилась»: на конкурс пришло 517 проектов, а денег хватило на 39, среди которых в Москве «победили» 14 проектов, в Санкт-Петербурге – 5, в Н.Новгороде и в Новосибирске – по 3, и в Томске – 1.
В 2012 году на конкурс пришло почти в полтора раза больше проектов – 719, а финансирования хватило на 42 победителя, среди которых опять Москва (15), Питер (5), Н.Новгород и Томск по 2, и 6 Институтов СО РАН.
Вполне естественно возникает вопросы: Куда делись около 1500 проектов, которые не были поддержаны? Неужели они действительно были «не достойны» государственного финансирования? В настоящей статье описывается проект конкурса 2012 года № 2012-220-03-247, в котором под руководством д.ф.-м.н. Завjротнева Ю.Д. из Донецкого физико-технического института НАН Украины, предлагалось создать баро-электро-термо-акустический (БЭТА) анализатор, не имеющей мировых аналогов, и превосходящий по своим функциональным возможностям все существующие сегодня установки синхронного термического анализа (СТА), а также межведомственную лабораторию на базе Донского государственного технического университета.

Ключевые слова: фазовые переходы, старение материалов, жидкие среды, акустическая эмиссия, синхронный термический анализ, электрометрия материалов, вектор-функция жизненного цикла, критерии подобия, баро-электро-термо-акустический анализ, магнитные свойства веществ

Библиография:
Белозеров В.В., Голубов А.И. Об унификации испытаний жидких, вязких и твердых материалов на пожарную опасность //«Техносферная безопасность, надежность, качество, энерго-и ресурсосбережение»: Мат-лы Всерос. научн.-практ. конф. /Ново-Михайловское, 05-09.09.2011, ISBN 5-89071-036-2/. – Ростов н/Д: РГСУ (ЮРО РААСН), 2011, с. 139-149.
Белозеров В.В., Босый С.И., Кальченко И.Е., Нестеров А.А., Прус Ю. В. О термоэлектроакустическом методе определения характеристик пожароопасности твердых и жидких веществ и материалов // Технологии техносферной безопасности: Интернет-журнал. – Вып. 6 (34).-2010. – 5 с. –http://ipb.mos.ru/ttb/2010-6/2010-6.html-0421000050/0089.
Белозеров В.В., Голубов А. И., Колесников В.В. Диагностика прочности и долговечности лакокрасочных покрытий пожарной техники с помощью параметра – термобаростойкости //«Пожарная и аварийная безопасность»: мат-лы VI Междунар.науч.-практ.конф., 28-30.11.201, ISBN 978-5-89729-158-0/-Иваново: ИвИГПС МЧС России, 2011, с.239-240.
Белозеров В.В., Голубов

Аннотация: Авторы рассматривают методологию синхронизации методов и средств термического анализа с методом и средствами акустической эмиссии и электрометрии. Показано, что в результате предлагаемого комплексирования появляется возможность, во-первых, получения многопараметрической вектор-функции жизненного цикла исследуемого вещества или материала, а во-вторых, вычисления параметров их "старения", т. к. в отличие от существующих установок, предложено использовать термо-баро-циклирование исследуемых образцов, что ускоряет деградацию их свойств, аналогично процессам эксплуатации. Предлагаемая методология комплексирования методов и средств термического анализа с методом и средствами акустической эмиссии (АЭ) и электрометрии "породила" новый метод - термобароденсиметрии. Новизна предлагаемого подхода защищена двумя патентами РФ на изобретение. При этом основным решением, реализующим синхронизацию указанных методов, является расчет и создание тигля термо-электро-дилатометра (ТЭД) на термоакустическом шток-волноводе (ТАШВ), который позволил вынести чувствительные АЭ-датчики из зоны высоких температур и давлений.

Ключевые слова: термогравиметрия, дилатометрия, диэлектрический анализ, динамический механический анализ, акустическая эмиссия, баро-термо-циклирование, старение материалов, дефектообразование, деструкция, пиролиз

Библиография:
Белозеров В.В., Буйло С.И. МЕТОДЫ И СРЕДСТВА ДИАГНОСТИКИ И ИСПЫТАНИЙ МАТЕРИАЛОВ И ИЗДЕЛИЙ ИЗ НИХ //отчет о НИР № проект 05/6-98 от 09.07.2007 (Южный федеральный университет) – URL: http://elibrary.ru/item.asp?id=23310702
Буйло С.И., Белозеров В.В., Босый С.И., Прус Ю.В.СОВРЕМЕННЫЕ МЕТОДЫ ДИАГНОСТИКИ МАТЕРИАЛОВ И ИЗДЕЛИЙ ИЗ НИХ /Учебное пособие-Ростов-на-Дону: ЮФУ, 2007.-192с. – URL: http://elibrary.ru/item.asp?id=23219490
Белозеров В.В., Босый С.И. Диагностика пожарной опасности материалов с помощью комплекса "ОКТАЭДР" //Технологии техносферной безопасности – 2007.-№ 6.-12с.-http://ipb.mos.ru/ttb/
Белозеров В.В., Босый С.И., Буйло С.И., Крыжановский В.М. ОКТАЭДР: Оптико-электронный тепло-акусто-электрометрический дериватограф //«Оборудование, технологии и аналитические системы для материаловедения, микро-и наноэлек-троники»: сб. тр. V Российско-японского семинара /в 2-х томах, под ред. проф. Кожитова Л.В./, т.2.-М.: МИСиС, 2007, с. 860-874.
Буйло С.И., Белозеров В.В., Прус Ю.В. Совмещенная термог